MRF1K50N-TF4

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

NXP

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

Y

Polarità del transistor:

Doppio canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

100 mA

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

133 V

Guadagno:

23 dB

Potenza di uscita:

1.5 kW

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 105 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

OM-1230-4

Frequenza operativa:

1.8 MHz to 500 MHz

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Marca:

NXP / Freescale

Transconduttanza diretta - Min:

33.5 S

Numero di canali:

2 Channel

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

- 6 V, 10 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.7 V

Parte # Alias:

935345445598

Unità di peso:

2.205 lbs

Tags

MRF1K50N, MRF1K, MRF1, MRF