MAGX-001214-650L00

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

MACOM

Categoria di prodotto:

Transistor RF JFET

RoHS:

Y

Tipo di transistor:

HEMT

Tecnologia:

GaN SiC

Guadagno:

19.7 dB

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

50 V

Vgs - Tensione di rottura gate-source:

- 8 V

Id - Corrente di scarico continua:

22.4 A

Potenza di uscita:

650 W

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 95 C

Pd - Dissipazione di potenza:

700 W

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Confezione:

Vassoio

Configurazione:

Separare

Frequenza operativa:

1400 MHz

Intervallo operativo di temperatura:

- 40 C to + 95 C

Prodotto:

Transistor di potenza RF

Tipo:

GaN SiC HEMT

Marca:

MACOM

Transconduttanza diretta - Min:

16.2 S

Kit di sviluppo:

MAGX-L21214-650L00

Tipologia di prodotto:

Transistor RF JFET

Quantità confezione di fabbrica:

10

sottocategoria:

transistor

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

- 2.9 V

Tags

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