MAGX-001214-125L00

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

MACOM

Categoria di prodotto:

Transistor RF JFET

RoHS:

Y

Tipo di transistor:

HEMT

Tecnologia:

GaN SiC

Guadagno:

18.4 dB

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

175 V

Vgs - Tensione di rottura gate-source:

- 8 V

Id - Corrente di scarico continua:

4.4 A

Potenza di uscita:

125 W

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 95 C

Pd - Dissipazione di potenza:

115 W

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Confezione:

Vassoio

Configurazione:

Fonte comune

Frequenza operativa:

1.2 GHz to 1.4 GHz

Intervallo operativo di temperatura:

- 40 C to + 95 C

Prodotto:

RF JFET

Tipo:

GaN SiC HEMT

Marca:

MACOM

Transconduttanza diretta - Min:

2.5 S

Tipologia di prodotto:

Transistor RF JFET

Quantità confezione di fabbrica:

25

sottocategoria:

transistor

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

- 3.8 V

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