NJVMJD41CT4G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

100 V

Collettore-tensione di base VCBO:

100 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.5 V

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

3 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

MJD41C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

75

Confezione:

Bobina

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

6 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

15

Pd - Dissipazione di potenza:

1.75 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

NJVMJD41CT4G-VF01

Unità di peso:

0.011993 oz

Tags

NJVMJD41, NJVMJD4, NJVMJD, NJVM, NJV