NJVMJD42CT4G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DPAK-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

100 V

Collettore-tensione di base VCBO:

100 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

6 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

3 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

MJD42C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

30 at 300 mA, 4 V

Altezza:

2.38 mm

Lunghezza:

6.73 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

6.22 mm

Marca:

ON Semiconductor

Guadagno base/collettore DC hfe min:

30

Pd - Dissipazione di potenza:

1750 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

NJVMJD42CT4G-VF01

Unità di peso:

0.012346 oz

Tags

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