SIHP6N80E-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220AB-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

800 V

Id - Corrente di scarico continua:

5.4 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

820 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

44 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

78 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Serie:

E

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

2.5 S

Tempo di caduta:

18 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

9 ns

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

27 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

13 ns

Tags

SIHP6N, SIHP6, SIHP, SIH