SIHB180N60E-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

19 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

180 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

33 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

156 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Serie:

E

Tipo di transistor:

1 N-Channel E-Series Power MOSFET

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

5.3 S

Tempo di caduta:

23 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

49 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

22 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

14 ns

Tags

SIHB1, SIHB, SIH