IRF6795MTR1PBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DirectFET-MX

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

25 V

Id - Corrente di scarico continua:

160 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3.2 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.35 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

35 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

75 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.7 mm

Lunghezza:

6.35 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET di potenza DirectFET

Larghezza:

5.05 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconduttanza diretta - Min:

100 S

Tempo di caduta:

11 ns

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

27 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

16 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

16 ns

Parte # Alias:

SP001524708

Tags

IRF6795, IRF679, IRF67, IRF6, IRF