SQS415ENW-T1_GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PowerPAK-1212-8W

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

16 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

16.1 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

82 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

62.5 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 P-Channel TrenchFET Power MOSFET

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

30 S

Tempo di caduta:

16 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3.6 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

64 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

11.8 ns

Tags

SQS41, SQS4, SQS