BSC883N03MS G

BSC883N03MS G
Mfr. #:
BSC883N03MS G
Produttore:
Infineon Technologies
Descrizione:
IGBT Transistors MOSFET N-Ch 30V 19A TDSON-8
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
BSC883N03MS G Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
Tecnologie Infineon
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Serie
BSC883N03
Confezione
Bobina
Alias ​​parziali
BSC883N03MSGATMA1 SP000507418
Stile di montaggio
SMD/SMT
Pacchetto-Custodia
TDSON-8
Tecnologia
si
Numero di canali
1 Channel
Configurazione
Singola Quad Scarico Tripla Sorgente
Tipo a transistor
1 N-Channel
Pd-Power-Dissipazione
2.5 W
Massima temperatura di esercizio
+ 150 C
Temperatura di esercizio minima
- 55 C
Tempo di caduta
8 ns
Ora di alzarsi
7.6 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
20 V
Id-Continuo-Scarico-Corrente
19 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
30 V
Rds-On-Drain-Source-Resistenza
3.8 mOhms
Polarità del transistor
Canale N
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico
19 ns
Tempo di ritardo all'accensione tipico
15 ns
Modalità canale
Aumento
Tags
BSC883N03MSG, BSC883N03M, BSC883, BSC8, BSC
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
BSC883N03MSGATMA1
DISTI # BSC883N03MSGATMA1TR-ND
Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 34V 19A TDSON-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 5000
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    BSC883N03MSGATMA1
    DISTI # BSC883N03MSGATMA1CT-ND
    Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 34V 19A TDSON-8
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 1
    Container: Cut Tape (CT)
    Limited Supply - Call
      BSC883N03MSGATMA1
      DISTI # BSC883N03MSGATMA1DKR-ND
      Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 34V 19A TDSON-8
      RoHS: Compliant
      Min Qty: 1
      Container: Digi-Reel®
      Limited Supply - Call
        BSC883N03MSGATMA1
        DISTI # SP000507418
        Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin TDSON EP (Alt: SP000507418)
        RoHS: Compliant
        Min Qty: 1
        Europe - 0
        • 1:€0.5779
        • 10:€0.4899
        • 25:€0.4369
        • 50:€0.3929
        • 100:€0.3819
        • 500:€0.3719
        • 1000:€0.3649
        BSC883N03MSGInfineon Technologies AGPower Field-Effect Transistor, 19A I(D), 34V, 0.0046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
        RoHS: Compliant
        73343
        • 1000:$0.3400
        • 500:$0.3600
        • 100:$0.3800
        • 25:$0.3900
        • 1:$0.4200
        BSC883N03MS G
        DISTI # 726-BSC883N03MSG
        Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 30V 19A TDSON-8
        RoHS: Compliant
        0
          BSC883N03MS GInfineon Technologies AG 4777
            Immagine Parte # Descrizione
            BSC883N03LS G

            Mfr.#: BSC883N03LS G

            OMO.#: OMO-BSC883N03LS-G

            MOSFET N-Ch 34V 98A TDSON-8
            BSC883N03LSGATMA1

            Mfr.#: BSC883N03LSGATMA1

            OMO.#: OMO-BSC883N03LSGATMA1

            MOSFET LV POWER MOS
            BSC883N03LS

            Mfr.#: BSC883N03LS

            OMO.#: OMO-BSC883N03LS-1190

            Nuovo e originale
            BSC883N03LSG

            Mfr.#: BSC883N03LSG

            OMO.#: OMO-BSC883N03LSG-1190

            Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 34V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
            BSC883N03LSGATMA1

            Mfr.#: BSC883N03LSGATMA1

            OMO.#: OMO-BSC883N03LSGATMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

            MOSFET N-CH 34V 17A TDSON-8
            BSC883N03LSGATMA1 , TDZF

            Mfr.#: BSC883N03LSGATMA1 , TDZF

            OMO.#: OMO-BSC883N03LSGATMA1-TDZF-1190

            Nuovo e originale
            BSC883N03MSG

            Mfr.#: BSC883N03MSG

            OMO.#: OMO-BSC883N03MSG-1190

            Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 34V, 0.0046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
            BSC883N03MSGATMA1

            Mfr.#: BSC883N03MSGATMA1

            OMO.#: OMO-BSC883N03MSGATMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

            MOSFET N-CH 34V 19A TDSON-8
            BSC883N03MS G

            Mfr.#: BSC883N03MS G

            OMO.#: OMO-BSC883N03MS-G-126

            IGBT Transistors MOSFET N-Ch 30V 19A TDSON-8
            BSC883N03LS G

            Mfr.#: BSC883N03LS G

            OMO.#: OMO-BSC883N03LS-G-317

            RF Bipolar Transistors MOSFET N-Ch 34V 98A TDSON-8
            Disponibilità
            Azione:
            Available
            Su ordine:
            3000
            Inserisci la quantità:
            Il prezzo attuale di BSC883N03MS G è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
            Prezzo di riferimento (USD)
            Quantità
            Prezzo unitario
            est. Prezzo
            1
            0,00 USD
            0,00 USD
            10
            0,00 USD
            0,00 USD
            100
            0,00 USD
            0,00 USD
            500
            0,00 USD
            0,00 USD
            1000
            0,00 USD
            0,00 USD
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