BSC883N03LS G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TDSON-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

34 V

Id - Corrente di scarico continua:

98 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3.8 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.5 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.27 mm

Lunghezza:

5.9 mm

Serie:

BSC883N03

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

5.15 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Tempo di caduta:

4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4.4 ns

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

26 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6.4 ns

Parte # Alias:

BSC883N03LSGATMA1 BSC883N3LSGXT SP000507422

Tags

BSC883N03LSG, BSC883N03L, BSC883, BSC8, BSC