SUM110P08-11L-E3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

80 V

Id - Corrente di scarico continua:

110 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

11.2 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

180 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

375 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

TrenchFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

4.83 mm

Lunghezza:

10.67 mm

Serie:

SOMMA

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

9.65 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

85 S

Tempo di caduta:

550 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

330 ns

Quantità confezione di fabbrica:

800

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

135 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

20 ns

Unità di peso:

0.050717 oz

Tags

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