TSM2311CX RFG

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Taiwan Semiconduttore

Categoria di prodotto:

MOSFET

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

4 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

45 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

450 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

6 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

900 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Prodotto:

Raddrizzatori

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

Taiwan Semiconduttore

Transconduttanza diretta - Min:

9 S

Tempo di caduta:

25 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

35 ns

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

45 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

22 ns

Tags

TSM2311CXR, TSM2311C, TSM2311, TSM231, TSM23, TSM2, TSM