DMG1023UVQ-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-563-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

1.03 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

25 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

500 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

6 V

Qg - Carica cancello:

622 pC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

530 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

8.1 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

8.1 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

28.4 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5.1 ns

Tags

DMG1023, DMG102, DMG1, DMG