DMG1026UV-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-563-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

440 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.8 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

500 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

0.45 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

580 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

DMG1026

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

16.3 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3.4 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

26.4 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3.4 ns

Unità di peso:

0.000106 oz

Tags

DMG1026, DMG102, DMG1, DMG