2DB1386R-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-89-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 20 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 30 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 250 mV

Corrente massima del collettore CC:

- 5 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

100 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2DB13

Guadagno di corrente CC hFE Max:

180 at 500 mA, 2 V

Altezza:

1.5 mm

Lunghezza:

4.5 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

2.48 mm

Marca:

Diodi incorporati

Guadagno base/collettore DC hfe min:

180 at 500 mA, 2 V

Pd - Dissipazione di potenza:

1000 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.004603 oz

Tags

2DB1386R, 2DB13, 2DB1, 2DB