IXTU02N50D

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-251-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

500 V

Id - Corrente di scarico continua:

200 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

30 Ohms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.1 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

esaurimento

Confezione:

Tubo

Altezza:

6.22 mm

Lunghezza:

6.73 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

IXTU02N50

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

2.38 mm

Marca:

IXYS

Tempo di caduta:

4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4 ns

Quantità confezione di fabbrica:

75

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

28 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9 ns

Unità di peso:

0.056438 oz

Tags

IXTU0, IXTU, IXT