IXFB110N60P3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

PLUS-264-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

110 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

56 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

245 nC

Pd - Dissipazione di potenza:

1.89 kW

Configurazione:

Separare

Nome depositato:

HiPerFET

Confezione:

Tubo

Serie:

IXFB110N60

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

105 S, 65 S

Tempo di caduta:

11 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

19 ns

Quantità confezione di fabbrica:

25

sottocategoria:

MOSFET

Unità di peso:

0.056438 oz

Tags

IXFB1, IXFB, IXF