DMN62D0SFD-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

X1-DFN1212-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

540 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.6 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

870 pC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

890 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

DMN62D

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

9.04 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3.81 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

16 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3.95 ns

Tags

DMN62D0, DMN62, DMN6, DMN