ZXTP2009ZQTA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-89-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 40 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 50 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 7 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 162 mV

Corrente massima del collettore CC:

- 15 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

152 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

550 at - 500 mA, - 2 V

Confezione:

Bobina

Marca:

Diodi incorporati

Corrente continua del collettore:

- 5.5 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

200 at - 10 mA, - 2 V

Pd - Dissipazione di potenza:

3 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.001764 oz

Tags

ZXTP200, ZXTP20, ZXTP2, ZXTP, ZXT