FDMD8540L

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

Power-56-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

33 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.2 mOhms, 2.2 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

81 nC, 81 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.3 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.8 mm

Lunghezza:

3.3 mm

Serie:

FDMD8540L

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

3.3 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

178 S, 178 S

Tempo di caduta:

14 ns, 14 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

13 ns, 13 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

51 ns, 51 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

15 ns, 15 ns

Unità di peso:

0.003346 oz

Tags

FDMD85, FDMD, FDM