SI7611DN-T1-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PowerPAK-1212-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

18 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

25 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

41 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 50 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

39 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

TrenchFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.04 mm

Lunghezza:

3.3 mm

Serie:

SI7

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

3.3 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

25 S

Tempo di caduta:

9 ns, 12 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

11 ns, 150 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

28 ns, 30 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10 ns, 47 ns

Parte # Alias:

SI7611DN-GE3

Tags

SI7611, SI761, SI76, SI7