FZT757TC

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-223-4

Polarità del transistor:

PNP

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 300 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 300 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 0.5 V

Corrente massima del collettore CC:

0.5 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

30 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

FZT757

Guadagno di corrente CC hFE Max:

40

Confezione:

Bobina

Marca:

Diodi incorporati

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.003951 oz

Tags

FZT757T, FZT757, FZT75, FZT7, FZT