MUN5112DW1T1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - Pre-polarizzati

RoHS:

Y

Configurazione:

Dual

Polarità del transistor:

PNP

Resistenza di ingresso tipica:

22 kOhms

Rapporto resistore tipico:

1

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SC-88-6

Guadagno base/collettore DC hfe min:

60

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

50 V

Corrente continua del collettore:

- 0.1 A

Corrente di picco del collettore CC:

100 mA

Pd - Dissipazione di potenza:

250 mW

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

MUN5112DW1

Confezione:

Bobina

Guadagno di corrente CC hFE Max:

60 at 5 mA at 10 V

Altezza:

0.9 mm

Lunghezza:

2 mm

Larghezza:

1.25 mm

Marca:

ON Semiconductor

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari - Prepolarizzati

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

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MUN5112D, MUN5112, MUN511, MUN51, MUN5, MUN