STL20N6F7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

20 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

5.4 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

25 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

78 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

STRIPFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.8 mm

Lunghezza:

3.3 mm

Serie:

STL20N6F7

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

3.3 mm

Marca:

STMicroelectronics

Tempo di caduta:

7.8 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

17.6 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

24.4 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

15 ns

Unità di peso:

0.000988 oz

Tags

STL20N, STL20, STL2, STL