STGD5NB120SZT4

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

STMicroelectronics

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

1200 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

10 A

Pd - Dissipazione di potenza:

55 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

STGD5NB120SZ

Confezione:

Bobina

Corrente continua del collettore Ic Max:

10 A

Altezza:

2.4 mm

Lunghezza:

6.6 mm

Larghezza:

6.2 mm

Marca:

STMicroelectronics

Corrente continua del collettore:

5 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

+/- 100 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

IGBT

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

STGD5NB120SZ, STGD5N, STGD5, STGD, STG