ZXTP2012ASTOA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

E-Line-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

60 V

Collettore-tensione di base VCBO:

100 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

7 V

Corrente massima del collettore CC:

3.5 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

120 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

ZXTN20

Guadagno di corrente CC hFE Max:

100 at 10 mA, 1 V

Altezza:

4.01 mm

Lunghezza:

4.77 mm

Larghezza:

2.41 mm

Marca:

Diodi incorporati

Pd - Dissipazione di potenza:

1000 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

transistor

Tags

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