IRG7PH30K10PBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Stile di montaggio:

Foro passante

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

1.2 kV

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2.05 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

30 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

33 A

Pd - Dissipazione di potenza:

210 W

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Confezione:

Tubo

Corrente continua del collettore Ic Max:

33 A

Altezza:

20.7 mm

Lunghezza:

15.87 mm

Larghezza:

5.31 mm

Marca:

Infineon / IR

Corrente di dispersione gate-emettitore:

100 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

25

sottocategoria:

IGBT

Parte # Alias:

SP001537520

Unità di peso:

1.340411 oz

Tags

IRG7PH30, IRG7PH3, IRG7PH, IRG7P, IRG7, IRG