DMP1011LFV-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PowerDI3333-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

12 V

Id - Corrente di scarico continua:

19 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

9.8 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

6 V

Qg - Carica cancello:

9.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.16 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

3.9 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

2.6 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

14.4 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6.3 ns

Unità di peso:

0.002540 oz

Tags

DMP1011, DMP101, DMP10, DMP1, DMP