DMP1011UCB9-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

U-WLB1515-9

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

8 V

Id - Corrente di scarico continua:

10 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

8.2 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

6 V

Qg - Carica cancello:

8.1 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

890 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

DMP1011

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

-

Tempo di caduta:

22.7 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

22.6 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

30.1 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6.2 ns

Tags

DMP1011, DMP101, DMP10, DMP1, DMP