KSB1121TTF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-89-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 25 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 30 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 0.35 V

Corrente massima del collettore CC:

2 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

150 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

KSB1121

Guadagno di corrente CC hFE Max:

560

Altezza:

1.7 mm

Lunghezza:

4.7 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

2.7 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Corrente continua del collettore:

- 2 A

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.004603 oz

Tags

KSB112, KSB11, KSB1, KSB