Jan2N2369AUB/TR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

N

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

LCC-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

15 V

Collettore-tensione di base VCBO:

40 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

4.5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.2 V

Corrente massima del collettore CC:

0.1 A

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

120 at 100 mA, 1 V

Marca:

Microchip / Microsemi

Guadagno base/collettore DC hfe min:

20 at 100 mA, 1 V

Pd - Dissipazione di potenza:

0.36 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

transistor

Tags

Jan2N2369AU, Jan2N2369A, Jan2N236, Jan2N23, Jan2N2, Jan2N, Jan2, JAN