SSM6J771G,LF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

WCSP6C-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

26 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

9.8 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

5 W

Configurazione:

Dual

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.5 mm

Lunghezza:

1.5 mm

Serie:

SSM6J771

Tipo di transistor:

2 P-Channel

Larghezza:

1 mm

Marca:

Toshiba

Transconduttanza diretta - Min:

19 S

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

90 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

28 ns

Unità di peso:

0.000060 oz

Tags

SSM6J, SSM6, SSM