SI1539CDL-T1-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-363-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

700 mA, 500 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

388 mOhms, 890 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

1.5 nC, 3 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

340 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

TrenchFET

Confezione:

Bobina

Serie:

SI1

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

1.2 S, 0.6 S

Tempo di caduta:

15 ns, 10 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

25 ns, 19 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

14 ns, 4 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

26 ns, 32 ns

Parte # Alias:

SI1539CDL-GE3

Unità di peso:

0.000988 oz

Tags

SI1539C, SI153, SI15, SI1