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AS4C32M16D1-5BANTR

AS4C32M16D1-5BANTR
Mfr. #:
AS4C32M16D1-5BANTR
Produttore:
Alliance Memory
Descrizione:
DRAM 512M 2.5V 200MHz 32Mx16 DDR1 A-Temp
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
AS4C32M16D1-5BANTR Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
AS4C32M16D1-5BANTR maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Memoria dell'Alleanza
Categoria di prodotto:
DRAM
RoHS:
Y
Tipo:
SDRAM - DDR1
Larghezza bus dati:
16 bit
Organizzazione:
32 M x 16
Pacchetto/custodia:
FBGA-60
Dimensione della memoria:
512 Mbit
Frequenza massima di clock:
200 MHz
Orario di accesso:
0.7 ns
Tensione di alimentazione - Max:
2.7 V
Tensione di alimentazione - Min:
2.3 V
Corrente di alimentazione - Max:
108 mA
Temperatura di esercizio minima:
- 40 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 105 C
Serie:
AS4C32M16D1
Confezione:
Bobina
Marca:
Memoria dell'Alleanza
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Sensibile all'umidità:
sì
Tipologia di prodotto:
DRAM
Quantità confezione di fabbrica:
2500
sottocategoria:
Memoria e archiviazione dati
Tags
AS4C32M16D1-5B, AS4C32M16D1-5, AS4C32M16D1, AS4C32M16D, AS4C32M1, AS4C3, AS4C, AS4
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
DDR1 Synchronous DRAM
Alliance Memory DDR1 Synchronous DRAM is a high-speed CMOS double data rate synchronous DRAM. It is internally configured with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CK). Data outputs occur at both rising edges of CK and CK. Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented. The Accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command which is then followed by a Read or Write command.
Immagine Parte # Descrizione
AS4C32M16D2A-25BAN

Mfr.#: AS4C32M16D2A-25BAN

OMO.#: OMO-AS4C32M16D2A-25BAN

 DRAM
AS4C32M16D1A-5TIN

Mfr.#: AS4C32M16D1A-5TIN

OMO.#: OMO-AS4C32M16D1A-5TIN

 DRAM
AS4C32M16MD1A-5BCNTR

Mfr.#: AS4C32M16MD1A-5BCNTR

OMO.#: OMO-AS4C32M16MD1A-5BCNTR

 DRAM Mobile DDR, 512M 1.8V,200MHz,32M x 16
AS4C32M16D3L-12BCNTR

Mfr.#: AS4C32M16D3L-12BCNTR

OMO.#: OMO-AS4C32M16D3L-12BCNTR

 DRAM 512M 1.35V 800Mhz 32M x 16 DDR3
AS4C32M16SM-7TCN

Mfr.#: AS4C32M16SM-7TCN

OMO.#: OMO-AS4C32M16SM-7TCN

 DRAM 512Mb, 3.3v, 133Mhz 32M x 16 SDR
AS4C32M16MS-7BCNTR

Mfr.#: AS4C32M16MS-7BCNTR

OMO.#: OMO-AS4C32M16MS-7BCNTR

 DRAM 512M 1.8V 133MHz 32Mx16 LP MSDR
AS4C32M16D2A-25BCN

Mfr.#: AS4C32M16D2A-25BCN

OMO.#: OMO-AS4C32M16D2A-25BCN-ALLIANCE-MEMORY

 IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA
AS4C32M16D1-5BCNTR

Mfr.#: AS4C32M16D1-5BCNTR

OMO.#: OMO-AS4C32M16D1-5BCNTR-ALLIANCE-MEMORY

 IC DRAM 512M PARALLEL 60BGA
AS4C32M16D2-25BCNTR

Mfr.#: AS4C32M16D2-25BCNTR

OMO.#: OMO-AS4C32M16D2-25BCNTR-ALLIANCE-MEMORY

 DRAM 512M, 1.8V, 32M x 16 DDR2
AS4C32M16D3-12BIN

Mfr.#: AS4C32M16D3-12BIN

OMO.#: OMO-AS4C32M16D3-12BIN-ALLIANCE-MEMORY

 IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA
Disponibilità
Azione:
Available
Su ordine:
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