BSC030P03NS3GAUMA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PG-TDSON-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

100 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3.1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

140 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

125 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.27 mm

Lunghezza:

5.9 mm

Serie:

BSC030P03

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

5.15 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

47 S

Tempo di caduta:

33 ns

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

105 ns

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

98 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

27 ns

Parte # Alias:

BSC030P03NS3 BSC3P3NS3GXT G SP000442470

Tags

BSC030P03NS3GA, BSC030P0, BSC030P, BSC030, BSC03, BSC0, BSC