SI7998DP-T1-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PowerPAK-SO-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

25 A, 30 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

9.3 mOhms, 5.3 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

26 nC, 48 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

22 W, 40 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

TrenchFET

Confezione:

Bobina

Serie:

SI7

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

45 S, 71 S

Tempo di caduta:

10 ns, 13 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

15 ns, 17 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

22 ns, 35 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

20 ns, 26 ns

Parte # Alias:

SI7998DP-GE3

Unità di peso:

0.017870 oz

Tags

SI799, SI79, SI7