CGHV14250F

CGHV14250F
Mfr. #:
CGHV14250F
Produttore:
N/A
Descrizione:
RF MOSFET HEMT 50V 440162
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
CGHV14250F Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
CGHV14250F maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
Wolfspeed / Cree
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Confezione
Tubo
Stile di montaggio
Vite
Intervallo operativo di temperatura
-
Pacchetto-Custodia
440162
Tecnologia
GaN SiC
Configurazione
Separare
Tipo a transistor
HEMT
Guadagno
18.6 dB
Classe
-
Potenza di uscita
330 W
Pd-Power-Dissipazione
-
Massima temperatura di esercizio
+ 130 C
Temperatura di esercizio minima
- 40 C
Applicazione
-
Frequenza operativa
1.2 GHz to 1.4 GHz
Id-Continuo-Scarico-Corrente
18 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
150 V
Vgs-th-Gate-Sorgente-Soglia-Tensione
- 3 V
Rds-On-Drain-Source-Resistenza
-
Polarità del transistor
Canale N
Transconduttanza diretta-Min
-
Kit di sviluppo
CGHV14250F-TB
Vgs-Gate-Source-Breakdown-Voltage
- 10 V to + 2 V
Gate-Sorgente-Tensione di interruzione
-
Tensione massima-Drain-Gate
-
Figura di rumore NF
-
P1dB-Punto di compressione
-
Tags
CGHV142, CGHV14, CGHV1, CGHV, CGH
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***o-Tech
- 250W, 1200 - 1400MHz, GaN HEMT Flange Package
***i-Key
RF MOSFET HEMT 50V 440162
***hardson RFPD
RF POWER TRANSISTOR
GaN HEMTs
Cree GaN (Gallium Nitride) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) offers greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors. GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
CGHV14250F
DISTI # CGHV14250F-ND
WolfspeedRF MOSFET HEMT 50V 440162
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube
59In Stock
  • 1:$367.8300
CGHV14250F-TB
DISTI # CGHV14250F-TB-ND
WolfspeedTEST FIXTURE FOR CGHV14250
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Box
5In Stock
  • 1:$550.0000
CGHV14250F
DISTI # 941-CGHV14250F
Cree, Inc.RF JFET Transistors GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 250 Watt
RoHS: Compliant
1
  • 1:$367.8300
CGHV14250F-TB
DISTI # 941-CGHV14250F-TB
Cree, Inc.RF Development Tools Test Board without GaN HEMT
RoHS: Not compliant
2
  • 1:$550.0000
Immagine Parte # Descrizione
CGHV1F025S

Mfr.#: CGHV1F025S

OMO.#: OMO-CGHV1F025S

RF JFET Transistors GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
CGHV1F006S

Mfr.#: CGHV1F006S

OMO.#: OMO-CGHV1F006S

RF JFET Transistors GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
CGHV1J006D-GP4

Mfr.#: CGHV1J006D-GP4

OMO.#: OMO-CGHV1J006D-GP4

RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
CGHV1F006S-AMP3

Mfr.#: CGHV1F006S-AMP3

OMO.#: OMO-CGHV1F006S-AMP3

RF Development Tools Test Board with GaN HEMT
CGHV1F006S-AMP1

Mfr.#: CGHV1F006S-AMP1

OMO.#: OMO-CGHV1F006S-AMP1

RF Development Tools Test Board with GaN HEMT
CGHV1F006S-AMP1

Mfr.#: CGHV1F006S-AMP1

OMO.#: OMO-CGHV1F006S-AMP1-WOLFSPEED

DEMO HEMT TRANS AMP1 CGHV1F006S
CGHV1F025S-AMP1

Mfr.#: CGHV1F025S-AMP1

OMO.#: OMO-CGHV1F025S-AMP1-WOLFSPEED

DEMO HEMT TRANS AMP1 CGHV1F025S
CGHV14500F

Mfr.#: CGHV14500F

OMO.#: OMO-CGHV14500F-WOLFSPEED

RF JFET Transistors 1.2-1.4GHz 500W GaN Gain 17.1dB
CGHV1J025D

Mfr.#: CGHV1J025D

OMO.#: OMO-CGHV1J025D-318

RF JFET Transistors DC-18GHz 25W GaN Gain@10GHz 17dB
CGHV1J070D

Mfr.#: CGHV1J070D

OMO.#: OMO-CGHV1J070D-318

RF JFET Transistors DC-18GHz 70 Watts Gain 17dB @10GHz
Disponibilità
Azione:
Available
Su ordine:
4500
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Prezzo di riferimento (USD)
Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
1
551,74 USD
551,74 USD
10
524,16 USD
5 241,58 USD
100
496,57 USD
49 657,05 USD
500
468,98 USD
234 491,65 USD
1000
441,40 USD
441 396,00 USD
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