CGHV1F025S

CGHV1F025S
Mfr. #:
CGHV1F025S
Produttore:
N/A
Descrizione:
RF JFET Transistors GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
CGHV1F025S Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
CGHV1F025S maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Skyworks
Categoria di prodotto:
Transistor RF JFET
RoHS:
Y
Tipo di transistor:
pHEMT
Tecnologia:
GaAs
Polarità del transistor:
Canale N
Temperatura di esercizio minima:
- 40 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 85 C
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pacchetto/custodia:
SC-70-4
Confezione:
Bobina
Marca:
Skyworks Solutions, Inc.
NF - Figura di rumore:
0.4 dB
P1dB - Punto di compressione:
10.5 dBm
Tipologia di prodotto:
Transistor RF JFET
Quantità confezione di fabbrica:
3000
sottocategoria:
transistor
Tags
CGHV1F, CGHV1, CGHV, CGH
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Packaging Boxes
***i-Key
RF MOSFET HEMT 40V 12DFN
***hardson RFPD
RF POWER TRANSISTOR
GaN HEMTs
Cree GaN (Gallium Nitride) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) offers greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors. GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.
X-Band GaN HEMTs & MMICs
Wolfspeed/Cree X-Band GaN HEMTs & MMICs wide bandgap increases the breakdown field by five times and the power density by a factor of 10 to 20 compared with GaAs-based devices. Cree GaN components are smaller and have a lower capacitance for the same operating power. This means that amplifiers can operate over a wider bandwidth while exhibiting good input and output matching. X-band power amplifiers are moving away from inefficient GaAs pHEMTs and unreliable Traveling Wave Tubes due to the significant advantages of GaN HEMTs and MMICs.Learn More
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
CGHV1F025S-AMP1
DISTI # CGHV1F025S-AMP1-ND
WolfspeedDEMO HEMT TRANS AMP1 CGHV1F025S
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
1In Stock
  • 1:$637.4400
CGHV1F025S
DISTI # CGHV1F025STR-ND
WolfspeedRF MOSFET HEMT 40V 12DFN
RoHS: Compliant
Min Qty: 250
Container: Tape & Reel (TR)
Temporarily Out of Stock
  • 250:$87.4405
CGHV1F025S
DISTI # CGHV1F025SCT-ND
WolfspeedRF MOSFET HEMT 40V 12DFN
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Cut Tape (CT)
Temporarily Out of Stock
  • 100:$96.1846
  • 1:$97.9300
CGHV1F025S
DISTI # CGHV1F025SDKR-ND
WolfspeedRF MOSFET HEMT 40V 12DFN
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Digi-Reel®
Temporarily Out of Stock
  • 100:$96.1846
  • 1:$97.9300
CGHV1F025S
DISTI # 941-CGHV1F025S
Cree, Inc.RF JFET Transistors GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
RoHS: Compliant
0
  • 1:$87.4400
CGHV1F025S-AMP1
DISTI # 941-CGHV1F025S-AMP1
Cree, Inc.RF Development Tools Test Board with GaN HEMT
RoHS: Compliant
1
  • 1:$637.4400
Immagine Parte # Descrizione
CG2H40010F

Mfr.#: CG2H40010F

OMO.#: OMO-CG2H40010F

RF JFET Transistors GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt
CG2H40025F

Mfr.#: CG2H40025F

OMO.#: OMO-CG2H40025F

RF JFET Transistors GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
CGHV1F006S

Mfr.#: CGHV1F006S

OMO.#: OMO-CGHV1F006S

RF JFET Transistors GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
CGHV40030F

Mfr.#: CGHV40030F

OMO.#: OMO-CGHV40030F

RF JFET Transistors GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
CG2H40010F

Mfr.#: CG2H40010F

OMO.#: OMO-CG2H40010F-WOLFSPEED

RF MOSFET HEMT 28V 440166
CG2H40025F

Mfr.#: CG2H40025F

OMO.#: OMO-CG2H40025F-WOLFSPEED

RF MOSFET HEMT 28V 440166
CGHV1F006S

Mfr.#: CGHV1F006S

OMO.#: OMO-CGHV1F006S-WOLFSPEED

RF MOSFET HEMT 40V 12DFN
CGHV40030F

Mfr.#: CGHV40030F

OMO.#: OMO-CGHV40030F-WOLFSPEED

RF MOSFET HEMT 50V 440166
Disponibilità
Azione:
248
Su ordine:
2231
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Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
1
83,30 USD
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A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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