IRFP064VPBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

130 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

5.5 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

173.3 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

250 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Altezza:

20.7 mm

Lunghezza:

15.87 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET di potenza HEXFET

Larghezza:

5.31 mm

Marca:

Infineon / IR

Tempo di caduta:

150 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

200 ns

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

100 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

26 ns

Parte # Alias:

SP001556686

Unità di peso:

1.340411 oz

Tags

IRFP06, IRFP0, IRFP, IRF