FZT851TC

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-223-4

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

60 V

Collettore-tensione di base VCBO:

150 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Corrente massima del collettore CC:

6 A

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

FZT851

Altezza:

1.65 mm (Max)

Lunghezza:

6.7 mm (Max)

Confezione:

Bobina

Larghezza:

3.7 mm (Max)

Marca:

Diodi incorporati

Corrente continua del collettore:

6 A

Pd - Dissipazione di potenza:

3 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.003951 oz

Tags

FZT851T, FZT851, FZT85, FZT8, FZT