BSS225 H6327

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-89-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

90 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

28 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

5.8 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.5 mm

Lunghezza:

4.5 mm

Serie:

BSS225

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

2.5 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

50 mS

Tempo di caduta:

41 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

38 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

62 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

14 ns

Parte # Alias:

BSS225H6327FTSA1 SP001047644

Tags

BSS225H, BSS225, BSS22, BSS2, BSS