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IXTT30N60L2

IXTT30N60L2
Mfr. #:
IXTT30N60L2
Produttore:
Littelfuse
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 30A TO-268
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
IXTT30N60L2 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
IXYS
categoria di prodotto
FET - Single
Serie
Linear L2
Confezione
Tubo
Unità di peso
0.229281 oz
Stile di montaggio
SMD/SMT
Pacchetto-Custodia
TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Tecnologia
si
Temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Montaggio superficiale
Numero di canali
1 Channel
Pacchetto-dispositivo-fornitore
TO-268
Tipo FET
MOSFET N-Channel, ossido di metallo
Potenza-Max
540W
Tipo a transistor
1 N-Channel
Drain-to-Source-Voltage-Vdss
600V
Ingresso-Capacità-Ciss-Vds
10700pF @ 25V
Funzione FET
Standard
Corrente-Continuo-Scarico-Id-25°C
30A (Tc)
Rds-On-Max-Id-Vgs
240 mOhm @ 15A, 10V
Vgs-th-Max-Id
4.5V @ 250μA
Gate-Carica-Qg-Vgs
335nC @ 10V
Pd-Power-Dissipazione
540 W
Massima temperatura di esercizio
+ 150 C
Temperatura di esercizio minima
- 55 C
Tempo di caduta
43 ns
Ora di alzarsi
65 ns
Id-Continuo-Scarico-Corrente
30 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
600 V
Vgs-th-Gate-Sorgente-Soglia-Tensione
4.5 V
Rds-On-Drain-Source-Resistenza
240 mOhms
Polarità del transistor
Canale N
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico
123 ns
Tempo di ritardo all'accensione tipico
43 ns
Qg-Gate-Carica
335 nC
Transconduttanza diretta-Min
10 S 18 S
Modalità canale
Aumento
Tags
IXTT30, IXTT3, IXTT, IXT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ure Electronics
N-Channel 600 V 30 A 240 mO Surface Mount Linear L2 Power Mosfet - TO-268
***ical
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-268
***ment14 APAC
MOSFET,N CH,600V,30A,TO-268; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):240mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:540W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-268; No. of Pins:3; Current Id Max:30A; Voltage Vgs Max:20V
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
IXTT30N60L2
DISTI # V36:1790_15876605		IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-268
RoHS: Compliant		17
  • 1000:$8.4760
  • 500:$9.2310
  • 250:$10.0990
  • 100:$10.9570
  • 50:$11.2950
  • 25:$12.2010
  • 10:$13.1280
  • 1:$14.2980
IXTT30N60L2
DISTI # IXTT30N60L2-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 600V 30A TO-268
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		152In Stock
  • 120:$12.2485
  • 30:$13.3293
  • 1:$15.8500
IXTT30N60L2
DISTI # 24334835		IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-268
RoHS: Compliant		30
  • 60:$10.4160
  • 30:$10.6560
IXTT30N60L2
DISTI # 30552108		IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-268
RoHS: Compliant		17
  • 10:$13.1280
  • 1:$14.2980
IXTT30N60L2
DISTI # 747-IXTT30N60L2		IXYS CorporationMOSFET 30 Amps 600V
RoHS: Compliant		122
  • 1:$16.5700
  • 10:$15.0700
  • 25:$13.9300
  • 50:$12.8200
  • 100:$12.5100
  • 250:$11.4600
  • 500:$10.4000
IXTT30N60L2IXYS CorporationN-Channel 600 V 30 A 240 mO Surface Mount Linear L2 Power Mosfet - TO-268
RoHS: Compliant		3Tube
  • 30:$14.2100
  • 60:$12.2200
IXTT30N60L2
DISTI # C1S331700091877		IXYS CorporationTrans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-268
RoHS: Compliant		17
  • 50:$11.2950
Immagine Parte # Descrizione
IXTT3N200P3HV

Mfr.#: IXTT3N200P3HV

OMO.#: OMO-IXTT3N200P3HV

 Discrete Semiconductor Modules Disc Mosfet N-CH Std-Polar3 TO-268AA
IXTT30N60L2

Mfr.#: IXTT30N60L2

OMO.#: OMO-IXTT30N60L2

 MOSFET 30 Amps 600V
IXTT36N50P

Mfr.#: IXTT36N50P

OMO.#: OMO-IXTT36N50P

 MOSFET 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds
IXTT36P10

Mfr.#: IXTT36P10

OMO.#: OMO-IXTT36P10

 MOSFET -36 Amps -100V 0.075 Rds
IXTT30N60P

Mfr.#: IXTT30N60P

OMO.#: OMO-IXTT30N60P

 MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
IXTT36N50P

Mfr.#: IXTT36N50P

OMO.#: OMO-IXTT36N50P-IXYS-CORPORATION

 MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3
IXTT30N50L

Mfr.#: IXTT30N50L

OMO.#: OMO-IXTT30N50L-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 30 Amps 500V
IXTT30N60P

Mfr.#: IXTT30N60P

OMO.#: OMO-IXTT30N60P-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
IXTT30N50P

Mfr.#: IXTT30N50P

OMO.#: OMO-IXTT30N50P-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds
IXTT36P10

Mfr.#: IXTT36P10

OMO.#: OMO-IXTT36P10-IXYS-CORPORATION

 MOSFET -36 Amps -100V 0.075 Rds
Disponibilità
Azione:
Available
Su ordine:
2000
Inserisci la quantità:
Il prezzo attuale di IXTT30N60L2 è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
Prezzo di riferimento (USD)
Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
1
12,71 USD
12,71 USD
10
12,08 USD
120,78 USD
100
11,44 USD
1 144,26 USD
500
10,81 USD
5 403,45 USD
1000
10,17 USD
10 171,20 USD
A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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