IXTT30N60L2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-268-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

30 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

240 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4.5 V

Qg - Carica cancello:

335 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

540 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Prodotto:

Linear L2 Power MOSFET

Serie:

IXTT30N60

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

Linear L2 Power MOSFET with extended FBSOA

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

10 S, 18 S

Tempo di caduta:

43 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

65 ns

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

123 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

43 ns

Unità di peso:

0.229281 oz

Tags

IXTT30, IXTT3, IXTT, IXT