DN0150BLP4-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DFN-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

50 V

Collettore-tensione di base VCBO:

60 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

0.1 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

60 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

DN0150

Guadagno di corrente CC hFE Max:

200 at 2 mA, 6 V

Altezza:

0.35 mm

Lunghezza:

1 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

0.6 mm

Marca:

Diodi incorporati

Guadagno base/collettore DC hfe min:

200

Pd - Dissipazione di potenza:

450 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Tags

DN0150BLP4-7, DN0150BL, DN0150B, DN015, DN01, DN0