TN2510N8-G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-89-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

730 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.5 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

600 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.6 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.6 mm

Lunghezza:

4.6 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

FET

Larghezza:

2.6 mm

Marca:

Tecnologia a microchip

Transconduttanza diretta - Min:

400 mS

Tempo di caduta:

10 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

10 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

20 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10 ns

Unità di peso:

0.001862 oz

Tags

TN251, TN25, TN2