TN2106K1-G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

280 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.5 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

600 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

360 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.95 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

FET

Larghezza:

1.3 mm

Marca:

Tecnologia a microchip

Transconduttanza diretta - Min:

150 mS

Tempo di caduta:

5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

6 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3 ns

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

TN2106K1, TN2106K, TN2106, TN210, TN21, TN2