FZT1149ATA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-223-4

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 25 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 30 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 230 mV

Corrente massima del collettore CC:

4 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

135 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

FZT114

Guadagno di corrente CC hFE Max:

270

Altezza:

1.65 mm

Lunghezza:

6.7 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

3.7 mm

Marca:

Diodi incorporati

Corrente continua del collettore:

- 4 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

270 at 10 mA, 2 V, 250 at 500 mA, 2 V, 195 at 2 A, 2 V, 115 at 5 A, 2 V

Pd - Dissipazione di potenza:

2.5 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.003951 oz

Tags

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