NTGD4161PT1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSOP-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

2.1 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

160 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.1 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.94 mm

Lunghezza:

3 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Tipo di transistor:

2 P-Channel

Tipo:

FET - MOSFET

Larghezza:

1.5 mm

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

2.7 S

Tempo di caduta:

9.2 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

9.2 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

12.5 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7.6 ns

Unità di peso:

0.000705 oz

Tags

NTGD4, NTGD, NTG