NTGD4167CT1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSOP-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

2.6 A, 1.9 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

90 mOhms, 300 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

500 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

4.5 V, - 2.5 V

Qg - Carica cancello:

3.7 nC, 3.9 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.1 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.94 mm

Lunghezza:

3 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

NTGD4167C

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Larghezza:

1.5 mm

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

2.6 S, 2.6 S

Tempo di caduta:

2 ns, 8 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4 ns, 8 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

14 ns, 22 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7 ns, 8 ns

Unità di peso:

0.000705 oz

Tags

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